NCEP85T35T دیتاشیت

NCEP85T35T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP85T35T
حجم فایل 82.081 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCEP85T35T

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP85T35T
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 520W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 324nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 85V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 19.5nF@40V
  • Continuous Drain Current (Id): 350A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 200pF@40V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4mΩ@10V,175A
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه